Loading publications…
The last 5 uploaded publications
First-principles calculation of the phonon spectrum of<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">MgAl</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>spinel
G. A. de Wijs, Changming Fang, Kresse Georg, G. de With (2002). First-principles calculation of the phonon spectrum of<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">MgAl</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>spinel. Physical review. B, Condensed matter, 65(9), DOI: 10.1103/physrevb.65.094305.
Article180 days agoDensity functional theory study of the structural and electronic properties of amorphous silicon nitrides: Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:math>:H
L. E. Hintzsche, Changming Fang, Thomas Frederic Watts, Martijn Marsman, Gerald Jordan, M.W.P.E. Lamers, A.W. Weeber, Kresse Georg (2012). Density functional theory study of the structural and electronic properties of amorphous silicon nitrides: Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:math>:H. Physical Review B, 86(23), DOI: 10.1103/physrevb.86.235204.
Article170 days agoDefects and defect healing in amorphous Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:math>H<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mi>y</mml:mi></mml:msub…
L. E. Hintzsche, Changming Fang, Martijn Marsman, Gerald Jordan, M.W.P.E. Lamers, A.W. Weeber, Kresse Georg (2013). Defects and defect healing in amorphous Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mn>4</mml:mn><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:math>H<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mi>y</mml:mi></mml:msub…. Physical Review B, 88(15), DOI: 10.1103/physrevb.88.155204.
Article170 days ago<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>β</mml:mi></mml:math>-Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:math>(0001)/Si(111) interface: Phosphorus defects, valence band offsets, and their role of passivating the interface states
Espen Flage−Larsen, Ole Martin Løvvik, Changming Fang, Kresse Georg (2013). <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>β</mml:mi></mml:math>-Si<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>N<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:msub><mml:mrow /><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub></mml:math>(0001)/Si(111) interface: Phosphorus defects, valence band offsets, and their role of passivating the interface states. Physical Review B, 88(16), DOI: 10.1103/physrevb.88.165310.
Article170 days agoThe interface of a-SiNx:H and Si: Linking the nano-scale structure to passivation quality
M.W.P.E. Lamers, L. E. Hintzsche, Keith T. Butler, Per Erik Vullum, Changming Fang, Martijn Marsman, Gerald Jordan, John H. Harding, Kresse Georg, A.W. Weeber (2013). The interface of a-SiNx:H and Si: Linking the nano-scale structure to passivation quality. Solar Energy Materials and Solar Cells, 120, pp. 311-316, DOI: 10.1016/j.solmat.2013.04.026.
Article170 days ago